RP1E090RPTR
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | RP1E090RPTR |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 9A MPT6 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | MPT6 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.9mOhm @ 9A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 6-SMD, Flat Leads |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Ta) |
Grundproduktnummer | RP1E090 |
RP1E090RPTR Einzelheiten PDF [English] | RP1E090RPTR PDF - EN.pdf |
RP1E100RNFPFTR ROHM
RP1E090RPFX3TR ROHM
RP1E050RP ROHM
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RP1E070XNFPFTCR ROHM
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RP1E090RPTRRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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